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GaN-on-Si 如何帮助提高功率转换和电源管理的效率
资料介绍
本文介绍了硅基氮化镓(GaN-on-Si)在功率设计应用中的优点，并讨论了硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术之间的主要差异，以及英飞凌的 CoolGaN™ HEMTS 的特点和优势。
效率是所有行业的强大推动力，因为效率低下常常会导致不必要的高成本。在电子产品中，效率也会导致对整体性能的限制，或者如果不遵守这些限制，则会缩短产品寿命。影响所有商业和工业的同样市场力量推动了对更高效率的功率转换的追求。而同样地，需要提高效率才能实现更高的功率密度。这不仅可以实现更小、更轻、更可靠的产品，还有助于消除性能方面的限制，提高数据中心等关键基础设施以及电动汽车等新兴应用的电力水平。
此外，随着连接设备的数量与日俱增，更高效的功率转换可以在一定程度上降低为数十亿台设备供电的总体财务成本。而由于涉及的数量庞大，因此提高整体效率也变得同样重要，因为这能降低为现代社会供电的环境成本。
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| Infineon-1_WhitePaper_.pdf | 955K |
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