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几种用于IGBT驱动的集成芯片
资料介绍
在一般较低性能的三相电压源逆变器中, 各种与电流相关的
性能控制, 通过检测直流母线上流入逆变桥的直流电流即可,
如变频器中的自动转矩补偿、转差率补偿等。同时, 这一检测结
果也可以用来完成对逆变单元中IGBT 实现过流保护等功能。因
此在这种逆变器中, 对IGBT 驱动电路的要求相对比较简单, 成本
也比较低。这种类型的驱动芯片主要有东芝公司生产的TLP250,
夏普公司生产的PC923等等。这里主要针对TLP250 做一介绍。
TLP250 包含一个GaAlAs 光发射二极管和一个集成光探测器, 8
脚双列封装结构。适合于IGBT 或电力MOSFET 栅极驱动电路。图2
为TLP250 的内部结构简图, 表1 给出了其工作时的真值表。
TLP250 的典型特征如下:
1) 输入阈值电流( IF) : 5 mA( 最大) ;
2) 电源电流( ICC) : 11 mA( 最大) ;
3) 电源电压( VCC) : 10~ 35 V;
4) 输出电流( IO) : ± 0.5 A( 最小) ;
5) 开关时间( tPLH /tPHL ) : 0.5 μ( s 最 大 ) ;
6) 隔离电压: 2500 Vpms(最小)。
表2 给出了TLP250 的开关特性,表3 给出了TLP250 的推荐工作条件。
注: 使 用 TLP250 时 应 在 管 脚 8和 5 间 连 接 一 个 0.1 μ的 F 陶 瓷 电 容 来
稳定高增益线性放大器的工作, 提供的旁路作用失效会损坏开
关性能, 电容和光耦之间的引线长度不应超过1 cm。
图3 和图4 给出了TLP250 的两种典型的应用电路。
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