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IGBT并联技术分析
资料介绍
通过电力电子器件串联或并联两种基本方法,均可增大电力电子装置的功率等级。采用这两种方法设计的大功变流器,结构相对简单,加之控制策略与小功率变流器相兼容,功率提升主要靠电力电子器件串并联数目的增加来实现,因此具有成本较低,便于不同功率等级变流器进行模块化设计和生产等优点。
通过串联IGBT可以提高变流器的电压等级,而通过并联 IGBT则可以提高变流器的电流等级,从而提升变流器的功率等级。考虑到前者功率密度相对较低,从性价比出发,IGBT并联技术是最好的选择。
1 IGBT并联运行分析
1.1影响并联IGBT均流的主要因素
1)IGBT和反并联二极管静态参数的影响 IGBT的饱和压降Vetsa)、反并联二极管的正向压降 V主要影响静态均流效果;IGBT的跨导gs和栅极一发射级阈值电压 Vet、反并联二极管的反向恢复特性(反向恢复时间tm和反向恢复电荷Q等)主要影响动态均流效果。
2)IGBT驱动电路参数的影响并联 IGBT的门极驱动电压 Ve的大小主要影响并联 IGBT的静态均流,而门极驱动信号的变化率、门极驱动电阻 R、驱动线路的布局和感抗等参数则对并联 IGBT的动态均流有很大的影响。
3)IGBT安装的散热考虑,如果 IGBT散热出现热量过于集中,IGBT温度差别大,会影响的温度特性,形成正反馈现象。
4)主电路结构的影响主电路的结构会造成线路感抗差异,并对并联IGBT的动态均流产生影响,而线路的
电阻则影响静态均流。
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