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IGBT的Protel99se简化模型及仿真

更新时间：2019-09-02 06:54:40 大小：322K 上传用户：杨义查看TA发布的资源 标签：igbt 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

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文档为IGBT的Protel99se简化模型及仿真总结文档，是一份不错的参考资料，感兴趣的可以下载看看，，，，，，，，，，，，，

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第 15 卷第 3 期  
2003 年 6 月  
电 力 系 统 及 其 自 动 化 学 报  
Proceedings of the EPSA  
Vol. 15 No. 3  
Jun. ꢀ2003  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
①
的
99 简化模型及仿真  
Protel se  
IGBT  
卢根锁  
(
)
山西师范大学ꢀ临汾ꢀ041004  
99  
SIM PL IFICATIONAL MODEL OF IGBT IN PROTEL  
SE  
L u Gensuo  
(
)
, 041004  
,
Shanxi Teachers U niversity L infen  
ꢀ
ABSTRACT A m ethod to sim ulate the characteristics of  
2ꢀ 模型的选取与简化  
(
)
99  
Insulated Gate B ipolar T ransistor IGBT w ith Protel SE  
.
in this paper use the outside characteristics extract & trans2  
Protel 99se 提供了 IGBT 精确模型, 图 1 是根  
据 Sim ulation M odels. ddb 库中的 IGBT. ckt 内的  
3 . ckt 文件绘制的。图 1 中前置MOSFET 采用  
Shim chm an2Hodges 短沟道模型, 能够较精确的模  
拟M F IN 的性能且可以较少的占用 CPU 时间。  
QOU T 则采用普通 PN P 三极管, 在 P rotel 99SE 中,  
,
fer the param eter of IGBT create the database in Protel  
99  
,
.
SE It’s able sim ulate any type IGBT Thism ethod is veri2  
fied to be feasible through sim ulation of an actual IGBT p ro2  
. .  
duced by Siem ens Co  
(
IGBT Insulated Gate B ipolar T ransistor  
)
,
ꢀ
Key W ords  
99  
,
Protel  
tion  
摘要ꢀ本文提出一种简便的模拟绝缘栅双极性晶体管  
SE Simp lificational modeSim ula2  
(
IG2  
(
)
2
有一个具有 40 个参数的精确模型。  
)
-
的方法, 利用外部特  
BT Insulated Gate B ipolar T ransistor  
图 1 中所有的组件均为已知的小信号器件, 其  
中压控电压源EGD、流控电流源FFB 反映了 IGBT 的  
内部反馈参数。  
性参数提取、换算模型参数, 通过建立  
99  
中的数  
进行仿真。文中给出一  
Protel SE  
据库项, 能够对任意新型号的  
IGBT  
个实际器件的模拟结论, 验证了方法的可行性。  
(
)
ꢀ
关键词ꢀ  
IGBT Insulated Gate B ipolar T ransistor  
Protel  
99 ꢀ简化模型ꢀ仿真  
SE  
1ꢀ前言  
ꢀꢀ 电力电子电路的仿真是缩短电力电子产品研  
制过程的有力手段, 而其技术的关键是 IGBT 的仿  
真。作为一种最具发展潜力的电力电子器件, IGBT  
集MOSFET 的低栅极驱动功率和BJT 大电流输出  
的优点, 使其成为高电压、大电流应用场合的首选  
器件。  
图 1ꢀ 完整的 IGBT 仿真模型  
ꢀꢀ 在实际仿真过程中, 部分参数对仿真结果影  
响极小乃至为零, 可以略去或采用默认值, 对图 1  
简化后得到图 2 所示的组合拓扑, 它反映了 IGBT  
的主要性能指标, 能够较精确地对 IGBT 稳、瞬态  
及交流特性的进行模拟。  
对器件的模拟, 首先是建立器件的模拟模型。  
在 PSP ICE 中, 对 IGBT 的模拟采用以半导体物理  
结构为基础的原形模型和采用小信号器件组合的  
复合模型, PSP ICE 中, 就采用A llen R Hefner 的基  
( )  
于器件物理结构原型的 IGBT 稳、瞬态模型 1 , 但  
该方法并不适于产品的终端用户。而采用复合模型  
的方法是以已知的小信号器件进行组合, 通过实际  
产品的外部特性参数提取、换算模型参数, 可以得  
到精密的或是实用的仿真模型。Protel 99SE 采用  
后一种方法。  
①
本文修改稿 2003 年 3 月 4 日收到  
图 2ꢀ 简化的 IGBT 仿真模型  

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