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HBM4基础芯片台积电代工模式.docx
资料介绍
存储芯片的HBM4基础芯片台积电代工模式
一、引言
HBM4的基础芯片（Base Die）从传统DRAM工艺转向先进逻辑工艺制造，是HBM4时代最重要的产业变化之一。SK海力士从HBM4起将基础芯片外包给台积电12nm工艺制造，HBM4E计划升级至台积电3nm工艺。美光首批HBM4使用自研CMOS基底芯片，HBM4E则转由台积电代工。三星坚持全流程自研，在自家4nm工艺生产逻辑芯片。
HBM4基础芯片的逻辑化设计使计算功能下沉至内存侧，ECC引擎、刷新控制器、CXL接口逻辑与PNM近存处理单元集成在基础芯片中。先进逻辑工艺在晶体管密度、速度与功耗方面相比DRAM工艺具有显著优势。2026年，SK海力士与台积电的深度合作成为HBM4产业化的关键模式。本文将从技术动因、代工模式、工艺选择与产业影响四个方面，对HBM4基础芯片的台积电代工模式进行全面分析。
二、技术动因
2.1 逻辑功能需求
HBM4的基础芯片需要集成ECC引擎、刷新控制器、CXL接口逻辑与PNM近存处理单元，DRAM工艺无法胜任。
2.2 先进工艺优势
台积电12nm至3nm逻辑工艺在晶体管密度、速度与功耗方面相比DRAM工艺具有显著优势。
三、代工模式
3.1 SK海力士
SK海力士从HBM4起将基础芯片外包给台积电12nm工艺，HBM4E计划升级至台积电3nm工艺。
3.2 三星
三星坚持全流程自研，在自家4nm工艺生产逻辑芯片，采用1c DRAM工艺制造核心芯片。
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