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HBF高带宽闪存HBM与SSD之间的新存储层级.docx
资料介绍
HBF高带宽闪存：HBM与SSD之间的新存储层级
摘要
HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）是SK海力士联合Sandisk与Google在FMS 2026上提出的一种全新存储层级概念。HBF采用类似HBM的TSV技术堆叠NAND闪存芯片，同时通过逻辑基片提供高速接口，实现容量达HBM的8倍（512GB）、成本仅1/7的性能特征，目标定位在HBM与SSD之间，专攻AI推理中的大容量、高带宽存储需求。本文从HBF的架构设计、技术原理与应用前景等维度，系统分析这一新兴存储层级的价值与挑战。
一、引言：AI存储层级中的空白地带
当前AI系统的存储层级存在明显的性能空白：
· HBM：极高带宽（TB/s级）、极低延迟（纳秒级），但容量有限（单堆栈36至64GB）、成本极高
· DDR5：中等带宽（约50GB/s）、中等延迟（约100ns），容量可达GB级
· SSD：大容量（TB级）、高延迟（微秒级），带宽受限
在AI推理场景中，大量数据（如KV Cache）的访问特征介于HBM与SSD之间——需要比HBM更大的容量，同时需要比SSD更低的延迟和更高的带宽。HBF正是为填补这一空白而设计的全新存储层级。
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