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基于GaN器件射频功率放大电路的设计

更新时间：2019-12-11 10:19:51 大小：12M 上传用户：sun2152查看TA发布的资源 标签：GaN器件射频功率放大电路 下载积分：0分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(1) 举报

资料介绍

本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）

进行的宽带功率放大电路设计.

主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ADS软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为800MHz，在通带范围内的增益dB（S（2，1）>）10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB输出功率压缩点分别大于40dBm

46dBm，效率大于40%.

其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Orcad模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。

最后，分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。


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基于GaN器件射频功率放大电路的设计.pdf 12M

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全部评论(1)

  • 2021-12-01 14:50:56xieba1

    文章介绍了GaN功放管器件设计功放的基本方法，分析的比较清楚，适合刚入门的功放人员学习，有一定的参考价值。

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