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边发射激光器(EEL)技术解析

更新时间:2026-07-24 08:25:25 大小:16K 上传用户:江岚查看TA发布的资源 标签:发射激光器 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

基本定义与核心结构

边发射激光器(Edge-Emitting Laser,简称EEL)是一类谐振腔光学谐振方向平行于衬底平面、激光从芯片侧边输出的半导体激光器,与从芯片表面出光的垂直腔面发射激光器(VCSEL)形成典型的技术分类。

EEL的核心结构基于半导体异质结设计,典型构造自下而上依次为:衬底、下包层(下限制层)、有源区、上包层(上限制层)、欧姆接触层。衬底一般选用与外延层晶格匹配的GaAsInP等半导体材料,起到支撑外延结构的作用;上下包层的带隙宽度高于有源区,同时折射率低于有源区,既可以通过电势垒将载流子限制在有源区内,又能够通过折射率差将光场限制在有源区附近,实现光增益的累积;有源区是受激辐射发生的核心区域,根据发光波长与性能需求,可以设计为体材料、量子阱、量子线或者量子点结构。

为了实现横向光限制与电流限制,EEL通常会在芯片平面内制作条形结构,常见的条形结构包括增益导引型和折射率导引型两类:增益导引型通过绝缘介质层开孔限制电流注入区域,依靠增益分布实现光限制,工艺简单但模式稳定性较差;折射率导引型通过刻蚀或外延生长形成横向折射率差,能够更好地限制光场,更容易实现稳定的基横模输出,是商用高性能EEL的主流结构。EEL的谐振腔通常依靠芯片两个解理端面的自然反射形成,两个端面一般会镀增透膜或增反膜调整反射率,满足不同应用需求。

工作原理与核心特性

EEL的工作遵循半导体激光器的基本受激辐射原理:外界电源通过电极向有源区注入电子空穴对,当注入电流低于阈值电流时,有源区的自发辐射占主导,输出光强度低、光谱宽,属于荧光发射;当注入电流超过阈值电流后,有源区实现粒子数反转,满足振荡条件的光子在谐振腔内来回反射不断获得增益放大,最终从解理端面输出相干激光。

和其他类型半导体激光器相比,EEL具有几个典型的特性:第一,输出光斑不对称性。由于EEL有源区的垂直厚度通常只有几百纳米到几微米,而水平方向的条形宽度一般为几微米,出光端面的光斑垂直方向发散角远大于水平方向,典型的垂直发散角在30°~40°左右,水平发散角在10°左右,这种不对称性需要特定的光学系统进行整形才能适配应用需求。第二,功率容量高。EEL可以通过增加谐振腔长度、采用大光腔结构提高输出功率,单管连续输出功率可以达到瓦级甚至数十瓦,巴条结构的EEL连续输出功率可以达到数百瓦,阵列结构甚至可以达到千瓦级,适合高功率应用场景。第三,波长覆盖范围广。通过调整有源区的材料组分,EEL可以覆盖从近紫外到中红外的广泛波段,常见体系包括:AlGaInP体系对应可见光红橙波段,AlGaAs/GaAs体系对应近红外780nm~900nm波段,InGaAsP/InP体系对应1100nm~1700nm的光通信波段,InGaAsSb体系对应2μm~4μm的中红外波段,GaN体系对应蓝紫光波段,能够适配不同领域的波长需求。第四,可集成性。EEL可以通过平面工艺实现阵列集成、与光子芯片混合集成,适合批量生产降低成本。


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