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DRAM 4F2+CBA技术国产DRAM弯道超车架构创新路径.docx
资料介绍
DRAM 4F2+CBA技术——国产DRAM实现弯道超车的架构创新路径
摘要
4F2架构创新+CBA（CMOS直接键合到阵列）工艺是国产DRAM提升存储密度的关键路径。CBA技术将存储晶圆与逻辑控制电路晶圆分开制作，利用混合键合方式进行堆叠。Yole预测4F2+CBA技术组合有望在2028年实现应用，成为头部厂商的主流选择。长鑫存储等国产DRAM厂商有望通过这一技术路径绕开EUV光刻机限制，实现弯道超车。本文从4F2+CBA技术原理、优势分析与产业化前景等维度，系统分析这一技术路线。
一、4F2+CBA技术原理
4F2架构实现存储单元面积的缩小，CBA技术将存储阵列晶圆和逻辑控制电路晶圆分开制造再键合。存储阵列晶圆采用成熟DUV设备制造，逻辑晶圆采用先进逻辑工艺，各自达到最佳性能。
二、对国产DRAM的战略意义
· 摆脱EUV依赖：存储阵列晶圆可用DUV设备制造，无需EUV光刻机
· 提升存储密度：4F2架构+CBA键合，密度可超越传统EUV微缩路线
· 降低制造成本：逻辑晶圆部分可外包给代工厂
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| DRAM_4F2+CBA技术国产DRAM弯道超车架构创新路径.docx | 37K |
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