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东海100A 68V NMOS DFN5 6封装
资料介绍
东海100A 68V NMOS DFN5*6封装，
The N-channel enhancement mode power mosfets used
advanced splite gate trench technology design, provided
excellent Rdson and low gate charge. Which accords with
the RoHS standard.
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| Donghai_ DHS031N07P_DataSheet_V2.0 (1).pdf | 775K |
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