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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中非线性误差分析与线性化技术.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中非线性误差分析与线性化技术
——从I-V非线性到系统级线性化补偿的精度提升方案
引言
在存算一体芯片的模拟计算中,非线性误差是影响计算精度的主要因素之一。存储单元的非线性I-V特性、ADC/DAC的积分非线性和差分非线性、以及模拟电路的增益非线性,都导致模拟MAC计算的结果偏离理想值。在AI推理中,非线性误差逐层累积,最终导致推理精度下降。线性化技术通过电路设计、校准算法和数字补偿,降低非线性误差,提高计算精度。本文系统分析面向存算一体芯片的模拟计算阵列中非线性误差分析与线性化技术。
非线性误差的来源
存储单元非线性
存储单元的非线性I-V特性:
1. ReRAM非线性:ReRAM的I-V特性在低电压区域呈现非线性,电流与电压的关系偏离欧姆定律。
2. PCM非线性:PCM的I-V特性在晶态和非晶态下都呈现非线性,非晶态的非线性更显著。
3. MRAM非线性:MTJ的I-V特性在低电压区域呈现非线性,TMR比率随电压变化。
ADC/DAC非线性
ADC和DAC的非线性误差:
1. 积分非线性:ADC/DAC的实际传输特性与理想直线的偏差,由电路的非线性引起。
2. 差分非线性:ADC/DAC的相邻码之间的步长与理想步长的偏差,由元件的匹配性引起。
3. 谐波失真:ADC/DAC的非线性导致输出信号中的谐波分量,信噪比下降。
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