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存算一体芯片技术路线图与未来展望.docx
资料介绍
存算一体芯片技术路线图与未来展望
1 引言
存算一体技术正从单点突破向系统化演进，从近存计算向存内计算、从模拟域向数字域、从单芯片向3D堆叠方向发展。本章作为存算一体技术系列的收官之作，系统总结存算一体芯片的技术路线图、关键里程碑和未来十年展望。
2 技术路线图
2.1 短期（2026-2027）
SRAM-CiM宏单元量产，NOR Flash CiM出货量突破千万颗。DRAM近存计算（HBM-PIM、AiM）在AI推理场景中规模应用。RISC-V存算一体标准发布。
2.2 中期（2028-2029）
3D-CIM架构量产，ReRAM CiM进入商业化阶段。晶圆级SRAM-CiM在LLM推理中规模应用。存算一体芯片在AI推理市场占比超过15%。
2.3 长期（2030-2035）
MRAM/SOT-MRAM CiM量产，感存算一体化芯片商业化。存算一体成为AI芯片的主流架构，在边缘AI和云端推理中全面替代传统架构。
3 关键里程碑
2026年：微纳核芯3D-CIM架构亮相WAIC，全球首个RISC-V存算一体标准启动。2027年：知存科技WTM系列出货量突破5000万颗。2028年：晶圆级存算一体芯片在LLM推理中规模应用。2030年：存算一体芯片占AI芯片市场30%以上。
4 未来展望
存算一体技术正从"存储中计算"向"计算即存储"演进。在AI大模型推理、边缘计算和具身智能等场景中，存算一体芯片的能效比优势将推动计算架构的根本性变革。中国存算一体产业正从"追赶"向"引领"转变，有望在全球AI芯片格局中占据重要地位。
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