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存储芯片的寄生参数提取与后仿真验证.docx
资料介绍
存储芯片的寄生参数提取与后仿真验证
1 引言
寄生参数提取（PEX）是从版图中提取寄生电阻、电容和电感的过程，用于后仿真验证。在存储芯片中，字线和位线的寄生RC直接影响访问速度，TSV和微凸块的寄生参数影响3D堆叠的信号完整性。本章系统分析存储芯片的寄生参数提取方法、后仿真流程和验证技术。
2 寄生参数来源
2.1 互连寄生
1. 字线寄生RC：字线的电阻和电容，影响RC延迟
2. 位线寄生RC：位线的电阻和电容，影响放电速度
3. TSV寄生：TSV的电阻、电容和电感
4. 微凸块寄生：凸块的电阻和寄生电容
2.2 器件寄生
1. 结电容：PN结的耗尽层电容
2. 栅极寄生：栅极的重叠电容和边缘电容
3. 互连线耦合电容：相邻互连线间的耦合电容
3 提取方法
3.1 规则提取
基于工艺设计规则的寄生参数提取，通过查表法快速估算寄生参数。规则提取速度快但精度有限。
3.2 场求解器
基于电磁场有限元分析的精确提取，适用于关键信号路径的精确寄生参数提取。场求解器精度高但计算量大。
4 后仿真验证
4.1 时序仿真
在提取寄生参数后，进行后仿真验证时序裕量。后仿真结果与设计目标对比，确保时序满足要求。
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