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存储芯片的硅桥互连与嵌入式互连桥技术.docx
资料介绍
存储芯片的硅桥互连与嵌入式互连桥技术
1 引言
硅桥互连(Silicon Bridge)技术通过在芯片间嵌入高密度互连桥,实现芯片间的局部高带宽连接,避免了全硅中介层的高成本。英特尔EMIB(嵌入式多芯片互连桥)和台积电LSI(局部硅互连)是硅桥技术的代表方案。在存储芯片的HBM与GPU互连中,硅桥技术在成本和性能之间取得平衡。本章系统分析硅桥互连的技术原理、应用场景和产业生态。
2 硅桥互连原理
2.1 互连桥结构
硅桥是一块嵌入基板的小型硅片,包含高密度互连层(RDL)。硅桥仅覆盖芯片间的局部区域,不覆盖整片中介层,减少了硅的使用量和制造成本。
2.2 EMIB技术
英特尔EMIB将硅桥嵌入封装基板,在芯片间提供高密度互连。EMIB的互连间距约45-55μm,带宽密度优于传统基板布线,但低于全硅中介层。
2.3 LSI技术
台积电CoWoS-L使用局部硅互连桥(LSI),在芯片间嵌入硅桥实现高密度互连,其余区域使用RDL布线。LSI在成本和性能之间取得平衡。
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