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存储芯片技术发展史从核心器件到现代存储体系.docx
资料介绍
存储芯片技术发展史：从核心器件到现代存储体系
1 引言
存储芯片技术发展史是半导体产业最精彩的篇章之一，从1948年威廉姆斯管的发明到2026年千层3D NAND和3D DRAM的问世，存储技术经历了从磁芯存储器、半导体存储器到3D堆叠的跨越式演进。本章系统回顾存储芯片技术的关键里程碑、技术路线的选择历史以及对中国存储产业发展的启示。
2 早期存储技术（1940s-1970s）
2.1 磁芯存储器
1951年，MIT的Jay Forrester发明了磁芯存储器，利用铁氧体磁环的磁滞效应存储信息。磁芯存储器延迟约1μs，容量仅数KB，但作为计算机主存持续使用至1970年代。
2.2 DRAM的发明
1966年，IBM的Robert Dennard发明了单晶体管DRAM（1T1C结构），将存储单元从6个晶体管（6T SRAM）缩减至1个晶体管+1个电容器，开启了存储密度革命。Dennard同时提出了MOSFET比例缩放定律（Dennard Scaling），为半导体微缩提供了理论基础。
2.3 EEPROM与Flash
1967年，贝尔实验室的Dawon Kahng和Simon Sze发明了浮栅MOSFET，为非易失性存储奠定了器件基础。1984年，东芝的舛冈富士雄发明了闪存（Flash Memory），其命名源于擦除速度之快如同照相机的闪光。
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