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资料介绍
电子特气在存储芯片制造中的关键作用
1 引言
电子特气（Electronic Specialty Gases）是半导体制造中用于刻蚀、沉积、掺杂和清洗等工艺的核心材料，其纯度和组分精度直接影响芯片性能与良率。在存储芯片制造中，3D NAND的高深宽比刻蚀、DRAM的ALD沉积和EUV光刻工艺对电子特气的种类和纯度要求持续提升。2026年全球电子特气市场规模约75亿美元，其中存储芯片占比约40%。
2 电子特气分类
电子特气按用途可分为刻蚀气体、沉积气体、掺杂气体和清洗气体四大类。刻蚀气体包括CF₄、CHF₃、C₄F₈、SF₆等氟基气体，用于氧化硅和氮化硅的等离子体刻蚀。沉积气体包括SiH₄、SiH₂Cl₂、NH₃、N₂O等，用于薄膜沉积。掺杂气体包括B₂H₆、PH₃、AsH₃等，用于离子注入。清洗气体包括NF₃、C₂F₆等，用于CVD腔室清洗。
3 在3D NAND中的应用
3D NAND的高深宽比沟道孔刻蚀消耗大量C₄F₈和C₄F₆等氟碳气体，通过脉冲等离子体技术实现>100:1的深宽比刻蚀。数百层氧化硅/氮化硅叠层的PECVD沉积需要高纯SiH₄和NH₃，纯度要求>6N（99.9999%）。
4 在DRAM中的应用
DRAM的ALD沉积对前驱体气体纯度要求极高，HfO₂和ZrO₂的高k介质层需要高纯TEMAHf和TEMAZr金属有机前驱体。EUV光刻工艺中的清洗气体NF₃用量随EUV渗透率提升而快速增长。
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