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半导体器件常用术语汇总
资料介绍
一、基础材料类术语
半导体是常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，是半导体器件制备的核心基础，以下为该类别下常用术语：
1. 本征半导体
不含任何杂质的纯净半导体，其载流子浓度由本征激发决定，电子浓度与空穴浓度相等，在室温下导电能力极差，仅作为半导体器件制备的基础原料，不直接用于制作功能器件。
2. 杂质半导体
通过掺杂工艺向本征半导体中引入特定杂质元素，改变其导电性能得到的半导体，根据掺杂类型可进一步分为N型半导体和P型半导体两类：N型半导体中多数载流子为电子，由掺入五价杂质元素（如磷、砷）得到；P型半导体中多数载流子为空穴，由掺入三价杂质元素（如硼、镓）得到。
3. 衬底
支撑半导体器件制造的基础薄片，是外延层、掺杂区域及器件结构的生长载体，常见衬底材料包括硅衬底、碳化硅衬底、氮化镓衬底、蓝宝石衬底等，衬底的晶向、电阻率、缺陷密度直接影响后续器件的性能与良率。
4. 外延层
在衬底表面生长的一层结晶薄层，其导电类型、电阻率、厚度可根据器件需求独立控制，相比直接在衬底掺杂得到的结构，外延层能实现更精准的杂质分布，是高压功率器件、高频射频器件制备中常用的结构。
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