- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
应变硅技术-载流子迁移率提升
资料介绍
应变硅技术（Strained Silicon Technology）是一种通过在硅材料中引入应力来改变其电子能带结构，从而提高载流子迁移率的先进半导体制造技术。该技术被广泛应用于现代集成电路（IC）制造中，尤其是在先进制程节点（如90nm及以下）中，成为提升芯片性能的关键手段之一。其核心原理是通过应力调制硅晶格结构，减少电子和空穴的散射概率，进而提高晶体管的开关速度和驱动电流，同时保持较低的功耗。
一、技术原理
1.1 晶格应变与载流子迁移率
硅作为典型的半导体材料，其晶体结构为金刚石型晶格。在无应力状态下，硅原子按固定间距排列，电子和空穴在晶格中运动时会因晶格振动（声子散射）、杂质原子（电离杂质散射）等因素发生散射，导致迁移率受限。应变硅技术通过在硅晶格中引入压应力或张应力，改变原子间的间距和键角，从而影响电子的能带结构和有效质量：
· 压应力（Compressive Strain）：当硅晶格受到挤压时，原子间距减小，价带顶的简并度降低，空穴的有效质量减小，同时散射概率降低，从而显著提高空穴迁移率（适用于PMOS晶体管）。
· 张应力（Tensile Strain）：当硅晶格被拉伸时，原子间距增大，导带底的电子有效质量减小，散射概率降低，可有效提高电子迁移率（适用于NMOS晶体管）。
根据理论计算，应变硅可使电子迁移率提升约50%-100%，空穴迁移率提升约30%-60%，直接改善晶体管的开关速度和驱动能力。
部分文件列表
| 文件名 | 大小 |
| 应变硅技术-载流子迁移率提升.docx | 17K |
最新上传
- 打赏
- 30日榜单
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：江岚
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21ic下载 打赏210.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21ic下载 打赏210.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21ic下载 打赏210.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21ic下载 打赏140.00元 3天前
用户：jh0355
-
21ic下载 打赏130.00元 3天前
用户：jh03551
-
21ic下载 打赏60.00元 3天前
用户：lanmukk
-
21ic下载 打赏60.00元 3天前
用户：kkkopj
-
21ic下载 打赏70.00元 3天前
用户：cooldog123pp
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：烟雨
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：xuzhen1
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：sun2152
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：w178191520
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：w1966891335
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：w993263495
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：x15580286248
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21ic下载 打赏15.00元 3天前
用户：kk1957135547
-
21ic下载 打赏5.00元 3天前
用户：创园船热情
-
21ic下载 打赏5.00元 3天前
用户：ytf4210
-
21ic下载 打赏10.00元 3天前
用户：有理想666
-
13806677280 打赏1.00元 3天前
-
21下载积分 打赏20.00元 3天前
用户：white工
-
Lzhf918@ 打赏10.00元 3天前
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：mulanhk
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：lanmukk
-
21ic下载 打赏310.00元 3天前
用户：zhengdai
-
21ic下载 打赏240.00元 3天前
用户：江岚
-
21ic下载 打赏240.00元 3天前
用户：潇潇江南
-
21ic下载 打赏210.00元 3天前
用户：gsy幸运
-
21ic下载 打赏70.00元 3天前
用户：小猫做电路
-
21ic下载 打赏120.00元 3天前
用户：jh0355
-
21ic下载 打赏110.00元 3天前
用户：jh03551
-
21ic下载 打赏70.00元 3天前
用户：liqiang9090
-
21ic下载 打赏45.00元 3天前
用户：有理想666
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：w178191520
-
21ic下载 打赏40.00元 3天前
用户：烟雨
-
21ic下载 打赏20.00元 3天前
用户：eaglexiong
全部评论(0)