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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术演进路线图与未来十年展望.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术演进路线图与未来十年展望
——从2026到2036年的存算一体芯片技术发展蓝图
引言
存算一体芯片技术正处于从实验室走向产业化的关键阶段。从2026年到2036年，存算一体芯片技术将在器件、电路、架构、系统、软件和生态等各个方面取得突破性进展。本文系统分析面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术演进路线图与未来十年展望，从2026到2036年的存算一体芯片技术发展蓝图。
器件技术路线图
2026-2028年
2026年至2028年存算一体芯片器件技术的发展：
1. SRAM：在先进工艺节点中，SRAM的单元面积持续缩小，SRAM-CiM在2026年至2028年实现量产，支持INT8精度的模拟MAC计算。
2. ReRAM：ReRAM的存储密度和耐久性持续提升，3D ReRAM在2028年至2030年实现量产，堆叠层数达到16层至32层。
3. MRAM：STT-MRAM的存储密度提升至Gb级，SOT-MRAM在2028年至2030年实现产业化，翻转速度低于1ns。
2028-2032年
2028年至2032年存算一体芯片器件技术的发展：
1. 3D ReRAM：3D ReRAM的堆叠层数达到32层至64层，存储密度达到Gb级，用于存算一体芯片的大容量存储。
2. SOT-MRAM：SOT-MRAM的翻转速度低于0.5ns，耐久性超过10¹⁵次，用于高性能存算一体芯片。
3. FeRAM：HZO铁电存储器的厚度缩小至1nm以下，剩余极化强度达到20μC/cm²，用于超低功耗存算一体芯片。
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