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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的先进特性表征与测试方法.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的先进特性表征与测试方法
——从直流参数到高频特性的存算一体芯片全面测试
引言
存算一体芯片的特性表征和测试是确保芯片功能和性能的关键环节。存算一体芯片包含模拟电路和数字电路，特性表征需要覆盖直流参数、交流参数、高频参数和温度特性等多个维度。测试方法需要从晶圆级测试到封装级测试，从功能测试到性能测试，从参数测试到可靠性测试，全面覆盖存算一体芯片的测试需求。本文系统分析面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片的先进特性表征与测试方法。
直流参数测试
存储单元直流参数
存算一体芯片中存储单元的直流参数测试：
1. 电阻值：测量存储单元在SET和RESET状态下的电阻值，评估电阻窗口，低阻态约1kΩ至100kΩ，高阻态约100kΩ至10MΩ。
2. 编程电压：测量存储单元的SET和RESET电压阈值，评估编程电压的一致性，SET电压约0.5V至2V，RESET电压约-0.5V至-2V。
3. 漏电流：测量存储单元在未选中状态下的漏电流，评估数据保持能力，漏电流需小于1nA。
模拟电路直流参数
存算一体芯片中模拟电路的直流参数测试：
1. ADC直流参数：测量ADC的偏移误差、增益误差和INL/DNL，评估ADC的精度，偏移误差需小于1mV。
2. DAC直流参数：测量DAC的偏移误差、增益误差和INL/DNL，评估DAC的精度，偏移误差需小于1mV。
3. 感测放大器直流参数：测量感测放大器的偏移电压和增益，评估感测放大器的灵敏度，偏移电压需小于1mV。
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