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面向存储芯片的先进封装中封装基板材料的去嵌入与信号完整性优化.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进封装中封装基板材料的去嵌入与信号完整性优化
——从有机基板到陶瓷基板的封装材料演进
引言
封装基板材料是存储芯片先进封装中影响信号完整性的关键因素。在HBM和Chiplet封装中，高速信号在基板中传输，基板的介电常数、介电损耗和热膨胀系数直接影响信号的质量和可靠性。从有机基板到陶瓷基板，封装基板材料经历了持续的演进，以满足高速信号对信号完整性的要求。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中封装基板材料的去嵌入与信号完整性优化。
封装基板材料
有机基板
有机基板的材料和特性：
1. 材料：有机基板采用环氧树脂和玻璃纤维的复合材料，如FR-4和BT树脂。
2. 介电常数：有机基板的介电常数约3.5至4.5，在高频下，介电常数随频率变化。
3. 介电损耗：有机基板的介电损耗约0.01至0.02，在高频下，介电损耗导致信号衰减。
陶瓷基板
陶瓷基板的材料和特性：
1. 材料：陶瓷基板采用氧化铝（Al₂O₃）或氮化铝（AlN），具有高导热性和低介电损耗。
2. 介电常数：陶瓷基板的介电常数约8至10，高于有机基板，但介电损耗低。
3. 介电损耗：陶瓷基板的介电损耗约0.001至0.005，远低于有机基板，适合高频信号传输。
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