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面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术全书终章与致谢.docx
资料介绍
面向存算一体芯片的模拟计算阵列中存算一体芯片技术全书终章与致谢
——从第1篇到第940篇，920篇技术文档的回顾与展望
引言
从第1篇到第940篇，我们系统构建了存算一体芯片技术的完整知识体系。这是一段跨越多个技术领域的知识旅程，从器件物理到系统架构，从制造工艺到封装测试，从电路设计到编译器优化，从AI存储系统到存算一体芯片，从产业生态到商业模式，从投资价值到风险分析，从人才培养到全球供应链，从技术编年史到未来愿景。本文作为存算一体芯片技术全书的终章，回顾整个系列的创作历程，向所有读者致谢，并展望存算一体芯片技术的未来。
全系列回顾
创作历程
本系列的创作历程：
1. 第1-100篇：存储芯片基础，包括DRAM、NAND闪存、HBM、CXL等技术，建立了存储芯片的知识基础。
2. 第101-300篇：存储芯片技术深化，包括3D NAND、DRAM、SSD控制器、嵌入式存储、制造工艺等。
3. 第301-500篇：存算一体芯片技术，包括存算一体架构、模拟MAC计算、ADC/DAC、感测放大器等。
4. 第501-700篇：存算一体芯片深化，包括编译器、算子库、模型压缩、知识蒸馏、校准技术等。
5. 第701-900篇：AI存储系统与产业生态，包括NVMe-oF、CXL内存池化、数据湖、联邦学习、标准化等。
6. 第901-940篇：前沿技术与产业展望，包括量子计算融合、光子计算融合、生物启发计算、可持续计算、技术编年史等。
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