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三星D1d第七代DRAM工艺与GAAFET晶体管技术.docx
资料介绍
三星D1d第七代DRAM工艺与GAAFET晶体管技术
摘要
2026年7月，三星在内部经营会议上披露了第七代DRAM工艺（代号D1d）的研发进展，目标于2026年11月完成PRA（生产准备认证）。D1d工艺线宽落在10至11nm区间，是DRAM工艺向10nm极限推进的关键节点。该工艺最引人注目的技术特征在于采用全新单元架构与GAAFET（Gate-All-Around FET）晶体管方案，标志着DRAM制造从FinFET时代正式迈入GAAFET时代。本文从工艺架构、晶体管设计、性能预期与产业影响等维度，系统分析D1d工艺的技术创新与战略意义。
一、引言：DRAM晶体管的演进路线
DRAM单元晶体管的演进经历了从平面晶体管到FinFET的转变。当前主流的1c DRAM工艺已广泛采用FinFET结构，通过鳍片式沟道设计提升驱动电流、降低漏电流。
然而，随着工艺节点逼近10nm物理极限，FinFET结构面临以下瓶颈：
1. 短沟道效应恶化：鳍片宽度无法进一步缩小时，栅极对沟道的静电控制能力下降
2. 漏电流控制困难：亚阈值漏电流和栅极漏电流随尺寸缩小而增大
3. 驱动电流提升受限：鳍片数量的增加受到布局面积的硬约束
GAAFET晶体管通过将栅极完全环绕纳米片沟道，实现了对沟道的极致静电控制，成为超越FinFET的下一代晶体管技术。
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