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光电共封装CPO技术在存储系统中的前景.docx

更新时间:2026-08-19 08:51:21 大小:38K 上传用户:他山之石可攻玉查看TA发布的资源 标签:光电共封装CPO存储系统光互连电互连 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

光电共封装CPO技术在存储系统中的前景

1 引言

光电共封装(Co-Packaged Optics, CPO)将光引擎与电芯片封装在同一基板或腔体内,通过光互连替代传统电互连实现芯片间的高速数据传输。在AI算力需求爆发推动下,传统电互连面临带宽密度、功耗和距离三重瓶颈,CPO通过光互连的低损耗、高带宽特性为突破这些瓶颈提供了根本性解决方案。在存储系统中,CPO技术正在从数据中心级的CXL内存池化向HBM的近存互连扩展。

2 电互连的瓶颈

2.1 带宽密度限制

传统电互连在信号频率超过10GHz后,趋肤效应和介质损耗导致信号衰减急剧增加。在PCIe Gen664GT/s)和Gen7128GT/s)中,信号损耗已接近铜互连的物理极限,需要复杂的均衡器(EQ)和转发器(Retimer)补偿,功耗和延迟显著增加。

2.2 功耗限制

电互连的功耗随数据速率呈超线性增长。在32GT/s以上,每比特传输功耗超过5pJ/bit,其中发射端、信道和接收端的功耗各贡献约1/3。光互连在同等带宽下,每比特功耗可降低至1-2pJ/bit

2.3 距离限制

电互连的传输距离受信号衰减限制,在PCB上超过30cm后需要转发器。在数据中心的内存池化场景中,CXL需要支持数米级的物理距离,电互连已无法满足要求。


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