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CMOS模拟集成温度传感器的设计
资料介绍
本文先设计了一种高性能的CMOS模拟集成温度传感器，并在电路中设计了ESD保护电路和启动电路，以保证电路工作点正常与性能优良。该电路具有结构简单、工作电压低、电源抑制比高和线性度良好的特点。采用HSPICE对该温度传感器电路进行了模拟仿真，仿真结果表明其电源抑制比可以达到64dB，在-50℃~150℃温度范围内，电压温度系数可以达到2.9mV/K，线性度良好。
而后在原集成温度传感器电路研究成果的基础上，设计了一种用于CMOS集成温度传感器二次非线性项修正的曲率校正电路，该电路有效解决了CMOS温度传感电路中电阻温度系数和PN结电压二次非线性项对输出线性度的影响。应用了该校正电路的CMOS 温度传感系统已在0.6um 标准 CMOS工艺中研制实现，实验结果表明在-50℃~+150℃的温度范围内该温度传感系统的最大误差小于1.5℃。
该研究的成果可用于一些高精度的应用场所，比如冷暖空调、医疗仪器，自检测系统等诸多领域中，具有显著的研究意义和广泛的应用前景。
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| CMOS模拟集成温度传感器的设计.pdf | 22M |
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