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面向存储芯片的先进封装中硅桥与硅中介层技术在Chiplet集成中的竞争与融合.docx
资料介绍
面向存储芯片的先进封装中硅桥与硅中介层技术在Chiplet集成中的竞争与融合
——从局部互连到全局互连的Chiplet封装方案
引言
硅桥和硅中介层是Chiplet集成中实现高密度互连的两种主要技术方案。硅桥（如Intel的EMIB）在局部区域提供高密度互连，硅中介层在全局区域提供高密度互连。在存储芯片的Chiplet封装中，硅桥和硅中介层各有优势，在不同应用场景中相互竞争，也在某些场景中相互融合。本文系统分析面向存储芯片的先进封装中硅桥与硅中介层技术在Chiplet集成中的竞争与融合。
硅桥技术
硅桥结构
硅桥的结构和特点：
1. 结构：硅桥是一块无源硅中介层，在硅衬底上制作高密度互连层，互连线宽和间距在亚微米级。
2. 尺寸：硅桥的尺寸较小，通常为几毫米到十几毫米，只在需要高密度互连的区域嵌入。
3. 嵌入方式：硅桥嵌入在封装基板中，通过微凸块与芯片连接，通过基板布线与其他芯片连接。
硅桥的优势
硅桥技术的优势：
1. 局部高密度互连：硅桥在局部区域提供高密度互连，互连线宽和间距可达0.5μm至2μm。
2. 低成本：硅桥的尺寸小，制造成本低于硅中介层，在需要局部高密度互连的场景中，成本优势明显。
3. 灵活性：硅桥的尺寸和位置可定制，适应不同的芯片布局和互连需求。
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