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晶体管(BJT)直流参数的测量
资料介绍
一、试验目的
本实验从晶体管结构出发，以晶体管原理为基础，根据其特性曲线及特 性参数设计了该试验。通过测量晶体管的直流放大系数β、饱和压降 VCEO 、 反向饱和电流 IEBO 、ICEO 及反向击穿电压 BVEBO 、BVCEO 。可绘出晶体管输出 特性曲线。由这些参数及特性曲线的分析，既可判断出所测晶体管的性能好 坏及其在制作工艺过程中所存在的问题。
二、试验原理
晶体管通常是指半导体三极管（BJT ），它的种类很多。按照频率分， 有高频管、低频管；按照功率分，有大、中、小功率管；按照半导体材料分， 有硅管、锗管等等。BJT 是通过一定的工艺，将两个 PN 结结合在一起的器件。 这两个 PN 结按照它们的作用，分别叫做发射结和集电结。这两个结把晶体管 分为三个区域：发射区、基区和集电区 。由于这三个区域的导电类型不同， 又可分为 PNP 型 BJT 和 NPN 型 BJT 两种，
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