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AO4435 场效应管(MOSFET)规格书
资料介绍
AO4435参数展示了这款场效应管的强大技术实力。P沟道设计赋予它30V的漏源电压，9A的连续漏极电流，以及在10V电压下，9A时的仅为18mΩ的导通电阻。这些参数不仅体现了AO4435在高电压和大电流环境下的卓越表现，同时也是其在电子元件市场中广受欢迎的原因之一。工程师和制造企业采购团队可根据这些参数准确选用AO4435，以满足各种场景下的需求。
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| C2944310_场效应管(MOSFET)_AO4435_规格书_WJ1063650.PDF |
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