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全定制ASIC设计与性能解析
资料介绍
一、全定制ASIC的基本定义
全定制ASIC(全定制专用集成电路,Full-Custom Application Specific Integrated Circuit)是集成电路设计领域中,针对特定应用需求,由设计团队对芯片从晶体管级开始进行完全手动规划、设计与优化的专用集成电路类型。与半定制设计依靠预制标准单元或门阵列完成布局布线不同,全定制设计流程中,设计师需要对芯片内每一个晶体管的尺寸、位置、互连路径都进行针对性的设计调整,最终实现性能、功耗、面积三个核心指标的最优平衡。
全定制ASIC诞生于集成电路发展早期,在摩尔定律推进过程中,一直是高端芯片、高性能芯片、功率芯片设计领域不可替代的设计方式,目前依然在模拟芯片、射频芯片、高速接口芯片、处理器核心、功率半导体等领域占据主导地位。
二、全定制ASIC与其他类型ASIC的区别
ASIC按照设计方法论可以分为全定制ASIC、半定制ASIC两大类,其中半定制ASIC又分为门阵列ASIC和标准单元ASIC,二者核心差异主要体现在以下几个方面:
1.设计粒度不同
全定制ASIC的设计粒度是晶体管级,设计师需要手动确定每一个MOS管的栅长、栅宽,甚至针对关键路径的晶体管进行单独的阈值电压调整,完成每个晶体管的位置摆放与互连绕线。而半定制ASIC采用预先设计好的标准单元库,设计粒度是逻辑门或功能模块级,设计师仅需要完成模块级的功能验证与布局布线,底层晶体管已经由标准单元厂商完成设计。
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