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光刻胶技术从ArF到EUV在存储芯片制造中的材料升级.docx
资料介绍
存储芯片制造中的光刻胶——从ArF到EUV光刻胶的材料升级
摘要
光刻胶是光刻工艺的核心耗材，在存储芯片制造中用于图形转移。2026年，随着EUV光刻在DRAM制造中的大规模应用，EUV光刻胶的需求快速增长。传统化学放大光刻胶在High-NA EUV的高能量密度下，金属氧化物光刻胶（MOR）成为新一代光刻胶的重要方向。本文从光刻胶分类、EUV光刻胶技术挑战与国产化进展等维度，系统分析光刻胶在存储芯片制造中的升级路径。
一、光刻胶分类
存储芯片制造中使用的光刻胶主要包括：
· KrF光刻胶：248nm，用于成熟工艺
· ArF光刻胶：193nm，用于先进工艺
· EUV光刻胶：13.5nm，用于最先进节点
二、EUV光刻胶的技术挑战
EUV光刻胶面临的主要挑战包括：线边缘粗糙度控制、灵敏度、随机效应等。金属氧化物光刻胶（MOR）因高吸收系数和低随机性，成为High-NA EUV时代的重要候选材料。
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