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氮化镓功率晶体管的基础

更新时间：2019-06-14 08:38:36 大小：2M 上传用户：z00查看TA发布的资源 标签：晶体管 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

我们对功率半导体最基本的要求是其性能、可靠性、管控性及成本效益。它的高频率性能，可切合稳压器系统于体积及瞬态响应方面的需要而具更高价值，并为D类功率放大器提供高保真度。一个新器件结构如果不高效、不可靠的话，根本不可能商品化。市场上有很多新结构及原料可供选择，有些成功地取得经济效益；有些则是取得有限的接受度。不过，现在有氮化镓(Gallium Nitride/GaN)增强型功率管控组件问世，具有高导电性、极快开关、硅器件之成本结构及基本操作模式等优异性能，其代表就是宜普公司的突破性新产品。

一个器件的成本效益，从现有生产基础设施开始计算。宜普公司的工艺技术，基于不昂贵的硅晶圆片。利用现有硅工艺设备，在硅基板上加上一薄层氮化铝(Aluminum Nitride/AlN)，用于隔离器件结构和基板。


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