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600VFS结构IGBT的设计
资料介绍
本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法,并通过和国内某知名代工线合作,完成了器件制备和测试。600V面FS-IGBT的研制工作展开论述。
1、首先对IGBT原理及FS层的原理进行分析讨论,然后结合代工线的特点,进行了600V平面栅FS结构IGBT的工艺流程、元胞结构与终端结构设计,最后完成版图设计并进行工艺流片。所设计的器件工艺流程为:先进行器件背面的FS层制作,然后进行正面结构(包括元胞和终端)的制作,最后再进行背面的P+区注入和金属化。
2、对流片获得的600V FS-IGBT器件进行了主要电学参数的测试和分析。测试结果为:耐压大于700V、正向导通压降低于1.15V、阈值电压4.1-4.5V。满足设计要求。
/本论文的研究成果对于促进我国FS结构IGBT的研究和产业化具有很好的参考价值,通过进一步改进工艺及结构,提高产品良率,最终可以形成有竞争力的产品。
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文件名 | 大小 |
600VFS结构IGBT的设计.pdf | 8M |
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