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3D NAND纳米浮栅结构北京大学高集成度低功耗堆叠技术.docx
资料介绍
3D NAND纳米浮栅结构——北京大学的高集成度低功耗堆叠技术
摘要
北京大学提出高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构，通过垂直堆叠与水平微缩协同优化，利用纳米浮栅的电荷汇聚效应提升电荷控制效率，降低编程/擦除电压，同时采用多层介质与精确刻蚀工艺解决寄生电容与界面缺陷问题。该技术使相邻字线间距进一步缩小，有效提升堆叠密度，同时保持良好的电隔离特性。本文从纳米浮栅原理、结构设计与工艺创新等维度，系统分析北京大学的技术突破。
一、纳米浮栅原理
纳米浮栅层（厚度1至3纳米）采用多晶硅、金属钨、氮化钛或石墨烯等材料，利用电荷汇聚效应与电场增强效应，极大提升栅极对浮栅中电荷的控制效率，编程时仅需施加更低的电压即可实现电子注入。
二、结构设计
堆叠结构包括交错层叠的绝缘介质层和纳米浮栅存储单元，贯穿堆叠结构的通孔侧壁依次设置隧穿介质层和中心沟道层。对称式纳米浮栅结构设计在实现高密度字线堆叠的同时保持良好电隔离特性。
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| 3D_NAND纳米浮栅结构北京大学高集成度低功耗堆叠技术.docx | 37K |
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