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3D NAND与TSV技术.docx
资料介绍
存储芯片的NAND Flash 3D NAND与TSV技术
一、引言
TSV技术在3D NAND中的应用正在从HBM向NAND Flash扩展，通过TSV将多层NAND裸片垂直堆叠，实现高带宽闪存（HBF）架构。HBF通过TSV技术堆叠16层NAND裸片，容量最高可达4TB，带宽接近HBM的水平。
TSV在NAND Flash中的应用优势包括：垂直互连距离短，信号传输延迟低；带宽密度高，在相同封装面积下实现更高的带宽；功耗低，每比特传输能耗低于传统NAND接口。2026年，SK海力士与闪迪共同发布了首个开放的HBF标准规范，HBF技术正在从研发向量产演进。本文将从技术原理、架构设计、性能优势与产业化进展四个方面，对3D NAND与TSV技术进行全面分析。
二、技术原理
2.1 TSV堆叠
TSV技术将多层NAND裸片垂直堆叠，通过TSV实现裸片之间的电气互连，在相同封装面积下实现更高的容量与带宽。
2.2 HBF架构
HBF采用HBM类似的堆叠架构，但存储介质为NAND Flash，在容量与成本方面具有优势。
三、性能优势
3.1 带宽
HBF通过TSV堆叠实现高带宽，带宽接近HBM的水平，远高于传统NAND Flash接口。
3.2 成本
HBF的单位GB成本仅为HBM的十分之一，在相同体积下容量提升十余倍。
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