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3D NAND电荷俘获与浮动栅极技术.docx
资料介绍
存储芯片的3D NAND侧面电荷存储与浮动栅极技术
一、引言
3D NAND的存储单元技术分为电荷俘获（Charge Trap）与浮动栅极（Floating Gate）两大技术路线。电荷俘获技术将电荷存储在氮化硅等绝缘介质薄膜中，浮动栅极技术将电荷存储在导电的多晶硅浮栅中。在3D NAND时代，电荷俘获技术成为市场主流，浮动栅极技术在特定厂商中仍有应用。
电荷俘获技术的优势在于：与3D堆叠工艺兼容性好，单元间干扰小，漏电流低。浮动栅极技术的优势在于：电荷存储能力更强，数据保持特性更优。2026年，电荷俘获技术在3D NAND中占据绝对主导地位，浮动栅极技术由Solidigm等厂商在特定产品中继续使用。本文将从技术原理、工艺对比、性能差异与厂商路线四个方面，对3D NAND的电荷俘获与浮动栅极技术进行全面分析。
二、电荷俘获技术
2.1 工作原理
电荷俘获技术将电子存储在氮化硅或高k介电材料的深能级陷阱中，电荷被陷阱俘获后无法自由移动，实现数据存储。
2.2 优势
电荷俘获技术与3D堆叠工艺兼容性好，单元间干扰小，漏电流低。
三、浮动栅极技术
3.1 工作原理
浮动栅极技术将电子存储在导电的多晶硅浮栅中，浮栅被绝缘介质层包围，电荷无法逃逸。
3.2 优势
浮动栅极的电荷存储能力更强，数据保持特性更优。
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| 3D_NAND电荷俘获与浮动栅极技术.docx | 37K |
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