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亿铸科技全数字3D DRAM通用存算一体芯片技术.docx
资料介绍
亿铸科技全数字3D DRAM通用存算一体芯片技术
1 引言
亿铸科技提出"通用存算一体三大定律"，基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片成功流片，实现了架构通用、生态通用和计算通用三重目标。本章系统分析亿铸科技的技术路线、芯片架构和系统集成方案。
2 通用存算一体三大定律
2.1 搬运代价定律
计算架构的每一次重要突破，本质上都围绕"如何更高效地解决数据搬运"展开。3D DRAM提供海量容量基础，存算一体消除架构性损耗，3D封装实现高带宽互联。
2.2 通用边界定律
专用计算单元的效率优势，往往会被通用计算的生态优势所抵消。只解决单一问题的技术，最终会成为通用计算的补充。
2.3 异构终局定律
单一计算单元难以同时满足"零搬运、全通用、高扩展"三重要求，存算一体的发展方向是异构协同。
3 芯片架构
亿铸科技基于3D DRAM的全数字通用存算一体AI芯片，在相同算力下功耗仅为GPU的1/5，成本约1/6。芯片支持CUDA生态兼容和PyTorch框架，无需重构上层应用。
4 系统集成
亿铸科技已形成覆盖云边端多场景的产品矩阵，支持1M超长上下文窗口、混合精度与MoE稀疏计算、集群级KV Cache池化。
5 未来展望
亿铸科技的全数字3D DRAM路线在通用性和生态兼容性方面具有优势。面向大模型推理场景，TCO可下降约88%，为AI规模化商用提供高性价比算力底座。
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| 亿铸科技全数字3D_DRAM通用存算一体芯片技术.docx | 37K |
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