积分商城

最新搜索： xc7a50t STM32F103C8T6 stm32f0 usb源码 aiwa I9300 Authorware 4.0
您现在的位置是：首页 > 技术资料 > 3D DRAM技术垂直堆叠突破DRAM密度极限.docx
推荐星级：
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  • 5

3D DRAM技术垂直堆叠突破DRAM密度极限.docx

更新时间：2026-08-18 09:27:23 大小：39K 上传用户：烟雨查看TA发布的资源 标签：D DRAM垂直堆叠DRAM密度IGZO 2T0C工艺微缩 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

3D DRAM技术：垂直堆叠突破DRAM密度极限

摘要

随着二维DRAM工艺微缩逼近10nm物理极限，线宽缩小幅度已不足10%，存储密度提升速度显著放缓。3D DRAM技术通过将存储单元垂直堆叠，类似于3D NAND的方式，有望突破DRAM的密度瓶颈。2026年，3D DRAM技术取得多项重要突破：中科院微电子所实现4层堆叠IGZO 2T0C 3D DRAM，刷新时间从64ms提升至2900ms；长鑫存储的键合DRAM入选IEDM顶级会议。本文从3D DRAM的架构原理、技术路线、产业化进展与挑战等维度，系统分析这一前沿技术。

一、引言：二维DRAM的物理极限

DRAM工艺微缩正面临严峻的物理极限：

1. 线宽逼近极限：当前1c DRAM工艺线宽约11至12nm，进一步缩小至10nm以下面临量子隧穿效应的挑战

2. 电容尺寸缩小困难：存储电容的尺寸缩小受限于电容值要求，需保持足够的电荷容量以确保数据保持时间

3. 漏电流控制：晶体管尺寸缩小导致漏电流增加，影响数据保持特性

4. 成本攀升：EUV光刻等先进工艺的使用使制造成本持续攀升

3D DRAM通过垂直堆叠存储单元，在不依赖线宽微缩的情况下实现存储密度提升，被认为是DRAM技术的未来方向。

二、3D DRAM的技术路线

2.1 无电容3D DRAM路线

传统DRAM采用1T1C（一个晶体管一个电容）结构，电容制造是DRAM工艺的核心难点。无电容3D DRAM采用2T0C（两个晶体管零电容）或类似架构，通过晶体管自身的栅极电容存储电荷，省去了电容制造环节。


部分文件列表

文件名 大小
3D_DRAM技术垂直堆叠突破DRAM密度极限.docx 39K

相关下载

全部评论(0)

暂无评论
评论赚积分>>

上传资源 上传优质资源有赏金

热门标签

更多>>

最新上传

  • 打赏
  • 30日榜单

热门下载

资料专题

推荐下载

本站上的所有资源均为源于网上收集或者由用户自行上传，仅供学习和研究使用，无任何商业目的，版权归原作如有侵权，请 来信指出，本站将立即改正。

ICP许可证号：京ICP证070360号     21IC电子网 2000- 版权所有

京ICP备11013301号

京公网安备 11010802024343号