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存储芯片的背面供电网络与3D互连技术.docx

更新时间:2026-08-19 08:53:55 大小:38K 上传用户:他山之石可攻玉查看TA发布的资源 标签:存储芯片BSPDND互连TSV混合键合 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

存储芯片的背面供电网络与3D互连

1 引言

背面供电网络(Backside Power Delivery Network, BSPDN)是先进制程中的革命性互连技术,通过将电源线从晶圆正面迁移至背面,释放正面布线资源,降低IR Drop和功耗。在DRAM和NAND的外围电路中,BSPDN正从逻辑芯片向存储芯片扩展。3D互连技术(TSV、混合键合、微凸块)与BSPDN的协同设计,正在推动存储芯片的互连架构从平面走向立体。本章系统分析BSPDN的技术原理、在存储芯片中的应用前景以及3D互连的协同设计方法。

2 BSPDN技术原理

2.1 架构对比

传统正面供电(FSPDN)中,电源线和信号线在晶圆正面竞争布线资源,导致:

1. IR Drop显著:电源线电阻随制程微缩而增加

2. 信号完整性下降:电源噪声耦合至信号线

3. 布线密度受限:电源线占用大量布线资源

BSPDN将电源线移至晶圆背面,通过TSV或银纳米通道实现正反面的电源连接。


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