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375层4D NAND闪存技术.docx
资料介绍
存储芯片的375层4D NAND闪存技术
一、引言
375层4D NAND闪存是SK海力士在2026年FMS上展示的最新NAND闪存技术，在堆叠层数与存储密度方面实现了重要突破。375层NAND采用4D NAND架构，在3D NAND垂直堆叠的基础上增加横向缩放，实现了更高的位密度。
375层4D NAND的核心技术包括：超高深宽比垂直通道蚀刻，在375层堆叠中保持通道孔的一致性与均匀性；CBA架构，将存储阵列晶圆与CMOS电路晶圆分别制造后键合；Toggle DDR6.0接口，实现最高4.8Gb/s的接口速率。2026年，SK海力士的375层4D NAND已开始送样，标志着3D NAND正式进入375层时代。本文将从技术原理、架构特点、性能表现与产业化进展四个方面，对375层4D NAND闪存技术进行全面分析。
二、技术原理
2.1 4D NAND架构
4D NAND在3D NAND垂直堆叠的基础上增加横向缩放，通过缩小存储单元的水平间距提升位密度。
2.2 375层堆叠
375层堆叠在垂直方向实现375层存储单元，在水平方向通过横向缩放实现更高的密度。
三、架构特点
3.1 CBA架构
375层NAND采用CBA架构，存储阵列晶圆与CMOS电路晶圆分别制造后通过混合键合连接。
3.2 Toggle DDR6.0
375层NAND的接口采用Toggle DDR6.0，最高速率达4.8Gb/s。
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