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375层4D NAND闪存技术.docx

更新时间：2026-08-18 08:57:18 大小：37K 上传用户：江岚查看TA发布的资源 标签：层4D NANDSK海力士D NAND堆叠CBA架构Toggle DDR60 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

存储芯片的375层4D NAND闪存技术

一、引言

375层4D NAND闪存是SK海力士在2026年FMS上展示的最新NAND闪存技术，在堆叠层数与存储密度方面实现了重要突破。375层NAND采用4D NAND架构，在3D NAND垂直堆叠的基础上增加横向缩放，实现了更高的位密度。

375层4D NAND的核心技术包括：超高深宽比垂直通道蚀刻，在375层堆叠中保持通道孔的一致性与均匀性；CBA架构，将存储阵列晶圆与CMOS电路晶圆分别制造后键合；Toggle DDR6.0接口，实现最高4.8Gb/s的接口速率。2026年，SK海力士的375层4D NAND已开始送样，标志着3D NAND正式进入375层时代。本文将从技术原理、架构特点、性能表现与产业化进展四个方面，对375层4D NAND闪存技术进行全面分析。

二、技术原理

2.1 4D NAND架构

4D NAND在3D NAND垂直堆叠的基础上增加横向缩放，通过缩小存储单元的水平间距提升位密度。

2.2 375层堆叠

375层堆叠在垂直方向实现375层存储单元，在水平方向通过横向缩放实现更高的密度。

三、架构特点

3.1 CBA架构

375层NAND采用CBA架构，存储阵列晶圆与CMOS电路晶圆分别制造后通过混合键合连接。

3.2 Toggle DDR6.0

375层NAND的接口采用Toggle DDR6.0，最高速率达4.8Gb/s。


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