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300V IGBT的设计
资料介绍
功率MOS晶体管与功率双极型管有相似的输出伏安特性，但功率MOS品体管的工作频率（开关速度）比双极型管的高；而功率MOS管是屯压控制器件，其驱动电流（驱动功率）非常小，故其驱动电路比双极型器件简单多。由于功率MOS管具有负的温度系数，它不存在二次击穿现象，其安全工作区比功率双极型晶体管宽，正是因为功率MOS器件几有胜过功率双极型器件的一系列优点，它在功率半导体器件中占有越来越重要的地位。据报道现在功率品体管的年增长率约为（8-10）%，而功率MOS管取代功率双极型晶体管占领新市场的速度正以30%的年增长率迅速增长，在日本则以50%的年增长率高速增长，预计在10年之内功率MOS管将占领整个功率品体管市场的40%以上.
功率MOS器件的发展过程基本上是在保留和发挥MOS器件本身的优点（特点）的基础上，努力提高功率和增大器件工作电压电流的过程。
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