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300V IGBT的设计
资料介绍
功率MOS晶体管与功率双极型管有相似的输出伏安特性,但功率MOS品体管的工作频率(开关速度)比双极型管的高;而功率MOS管是屯压控制器件,其驱动电流(驱动功率)非常小,故其驱动电路比双极型器件简单多。由于功率MOS管具有负的温度系数,它不存在二次击穿现象,其安全工作区比功率双极型晶体管宽,正是因为功率MOS器件几有胜过功率双极型器件的一系列优点,它在功率半导体器件中占有越来越重要的地位。据报道现在功率品体管的年增长率约为(8-10)%,而功率MOS管取代功率双极型晶体管占领新市场的速度正以30%的年增长率迅速增长,在日本则以50%的年增长率高速增长,预计在10年之内功率MOS管将占领整个功率品体管市场的40%以上.
功率MOS器件的发展过程基本上是在保留和发挥MOS器件本身的优点(特点)的基础上,努力提高功率和增大器件工作电压电流的过程。
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300VIGBT的设计.pdf | 11M |
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