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芯片设计中的MOSFET寄生效应与去嵌技术.docx
资料介绍
芯片设计中的MOSFET寄生效应与去嵌技术
在集成电路设计中，MOSFET的本征特性总是被各种寄生效应所掩盖，包括寄生电阻、寄生电容和寄生电感。这些寄生效应在深亚微米和射频工艺中变得尤为显著，直接影响器件的频率响应、噪声性能和功耗。精确的寄生参数提取和去嵌技术是电路仿真与实际测试结果吻合的关键。本文系统分析MOSFET的寄生效应来源、建模方法以及射频测试中的去嵌技术。
MOSFET的寄生电阻
源漏扩散区电阻
源漏扩散区的寄生电阻来自源漏区域的有限电阻率。扩散区电阻包括：
· 扩散区薄层电阻：
，其中为扩散区薄层电阻率
· 接触电阻：金属与硅化物之间的接触电阻，与接触孔面积成反比
· 硅化物电阻：硅化物层的薄层电阻
栅极电阻
栅极多晶硅或金属的电阻在高频下变得显著，影响器件的噪声性能和
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| 1786406394芯片设计中的MOSFET寄生效应与去嵌技术.docx | 39K |
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