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芯片设计中的模拟集成电路可靠性筛选与老化测试.docx
资料介绍
芯片设计中的模拟集成电路可靠性筛选与老化测试设计
模拟集成电路可靠性筛选与老化测试在芯片制造后筛选早期失效芯片，在芯片的长期可靠性中确保质量。老化测试在高温和高压下运行芯片，加速老化过程，在早期失效阶段筛选。可靠性筛选在测试中检测芯片的潜在缺陷，在芯片交付前剔除不可靠的芯片。本文将从老化测试原理、测试条件、失效模式、筛选方法、测试电路以及数据分析等方面，系统阐述模拟集成电路可靠性筛选与老化测试的设计方法。
老化测试原理
老化测试在高温和高压下加速芯片的老化，在早期失效阶段筛选。
1. 浴盆曲线：芯片的失效率在时间上呈浴盆曲线，在早期失效阶段失效率高，在随机失效阶段失效率低，在磨损失效阶段失效率高。
2. 加速因子：老化测试的加速因子由Arrhenius方程描述，
，其中为激活能，为使用温度，为应力温度。
3. 老化时间：老化测试的时间在高温和高压下，在加速因子中，等效于芯片在正常使用条件下数年的工作。
测试条件
老化测试的测试条件在温度、电压和电流中设置。
1. 温度：老化测试的温度通常为125°C（汽车级）或85°C（消费级），在高温下加速芯片的老化。
2. 电压：老化测试的电压通常为标称电压的1.1~1.2倍，在高压下加速器件的退化。
3. 动态老化：动态老化在芯片运行时施加测试向量，在电路中产生动态应力，在模拟电路中，在输入信号中施加交流信号。
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| 1786063363芯片设计中的模拟集成电路可靠性筛选与老化测试.docx | 38K |
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