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ROHM功率半导体元件库技术.docx
资料介绍
141 ROHM功率半导体元件库技术
ROHM（罗姆半导体）是全球领先的功率半导体与模拟IC供应商，以SiC碳化硅功率器件的垂直整合制造能力而著称。其产品线覆盖SiC MOSFET/SBD、GaN HEMT、IGBT、超级结MOSFET、低压MOSFET以及栅极驱动器IC。本文从元件库技术角度，系统梳理ROHM功率半导体的核心产品线与技术特征。
功率半导体元件库的架构体系
ROHM的功率半导体产品以"Power Eco Family"为品牌框架，整合EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™与EcoMOS™四大产品群，覆盖从低压到高压、从硅基到宽禁带的全技术谱系。ROHM是全球首家在2010年实现SiC MOSFET量产的厂商，并建立了从SiC晶圆生长、器件制造到封装测试的垂直整合生产体系。
第4代SiC MOSFET通过独有的双沟槽结构，在不牺牲短路耐受时间的前提下，将单位面积导通电阻较前代降低约40%，开关损耗降低约50%。第5代SiC MOSFET进一步在高温工况（Tj=175°C）下将导通电阻降低约30%，为xEV牵引逆变器与AI服务器电源提供更高的功率密度与效率。
EcoSiC™——SiC功率器件
SiC MOSFET分立器件
ROHM的SiC MOSFET产品线覆盖650V至1700V耐压等级。第4代器件在1200V等级下实现业界领先的导通电阻与开关损耗平衡，支持15V至18V栅极电压范围，可使用单极性正电源驱动，简化了栅极驱动电路设计。
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