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Infineon栅极驱动器元件库技术.docx
资料介绍
128 Infineon 栅极驱动器元件库技术
1ED 系列隔离栅极驱动器的库参数体系与驱动设计
一、概述
英飞凌 1ED 系列隔离栅极驱动器专为 IGBT 和 SiC MOSFET 驱动设计,在电机驱动、光伏逆变器和电动汽车牵引逆变器中广泛采用。元件库以 .bxl 格式在官网提供下载。库参数表包含了峰值驱动电流、传播延迟、CMTI、DESAT 保护阈值和隔离耐压等级。
二、1ED3122MU12H 关键参数
1. 驱动能力:峰值驱动电流 7.5A,驱动功率 5W IGBT 模块。库参数标注了不同栅极电阻 RG 下的上升/下降时间曲线。
2. 传播延迟:典型值 75ns,通道间延迟匹配 <10ns。
3. CMTI:>100V/ns,满足 SiC 器件高速开关的共模瞬态要求。
4. DESAT 保护:退饱和检测阈值 9V,检测后执行软关断和故障输出(FAULT 引脚)。
5. 隔离:隔离耐压 5.7kVrms,爬电距离 ≥8mm。
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| 128_Infineon栅极驱动器元件库技术.docx | 37K |
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