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Infineon功率半导体元件库技术.docx

更新时间:2026-09-15 15:35:20 大小:38K 上传用户:潇潇江南查看TA发布的资源 标签:Infineon功率半导体元件库CoolMOSTRENCHSTOP 下载积分:2分 评价赚积分 (如何评价?) 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

111 Infineon 功率半导体元件库技术

CoolMOS 超结 MOSFET、TRENCHSTOP IGBT、CoolSiC SiC MOSFET 的库参数体系

 

一、概述

英飞凌在功率半导体领域拥有业界领先的产品线,其 CoolMOS 超结 MOSFET 在 500V~900V 高压电源领域占据主导地位,TRENCHSTOP IGBT 系列在电机驱动和逆变器中广泛采用,CoolSiC 系列 SiC MOSFET 则面向电动汽车和新能源应用。英飞凌的元件库以 .bxl 和 .lib 格式在官网提供下载,通过 Ultra Librarian 转换后可导入主流 EDA 工具。库中每个功率器件的参数表包含了击穿电压 V(BR)DSS、导通电阻 Rds(on)(或 IGBT 的 Vce(sat))、栅极电荷 Qg 和 Qgd、输出电容 Coss、开关能量 Eon/Eoff、安全工作区 SOA 以及热阻 θJC。

二、CoolMOS 超结 MOSFET 元件库

CoolMOS CE 系列和 CFD 系列在元件库中标注的参数反映了超结器件的特性:

1. IPW60R040CFD7:600V、40mΩ、36A、TO-247 封装的 CoolMOS CFD7。库参数标注了 Rds(on) 在 25°C 和 100°C 下的数值——在 100°C 时上升至 1.7 倍。Qg 典型值 63nC,Qgd 典型值 16nC(Qgd/Qg≈0.25),低于同规格标准 MOSFET。Coss 在 Vds=400V 时仅 25pF——超结结构显著降低了输出电容。体二极管反向恢复电荷 Qrr 标注为 5μC,trr 为 220ns。库中 SOA 曲线标注了 DC 工作区和 10ms/100μs/1μs 脉冲工作区。

2. IPD70R600P7S:700V、600mΩ、8.5A、DPAK 封装的 CoolMOS P7。库参数标注了 ESD 耐受等级。


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