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长江存储Xtacking®技术解析.docx
资料介绍
长江存储Xtacking®技术解析
长江存储是我国自主研发高端存储芯片的核心企业，Xtacking®是长江存储自主研发的第三代3D NAND闪存架构技术，也是全球首个不需要晶圆键合就能实现外围电路与存储单元异质集成的创新架构，彻底突破了传统3D NAND闪存的性能与成本瓶颈，推动国产存储芯片跻身全球第一梯队。
一、Xtacking®技术研发背景
在Xtacking®技术诞生之前，全球主流的3D NAND闪存架构均遵循传统设计逻辑：将存储单元阵列和外围控制电路同步制作在同一颗晶圆上。这种设计的局限性非常明显：一方面，存储单元需要不断堆叠提升容量，工艺开发周期长，外围电路制作会占用存储晶圆的有效面积，压缩单颗芯片的容量空间；另一方面，不同工艺节点的适配难度大，外围电路无法独立升级，存储性能提升只能依赖堆叠层数增加，导致芯片生产成本快速上升，良率爬坡速度缓慢。
进入2010年后，全球移动终端、数据中心对存储容量和读写速度的需求爆发式增长，传统架构已经很难同时满足容量、性能、成本三个维度的要求。而国内高端存储芯片领域长期依赖进口，核心技术被海外巨头垄断，长江存储从成立之初就确立了自主架构研发的路线，2016年启动Xtacking®架构研发，2019年推出第一代Xtacking®技术，实现了3D NAND闪存的架构级创新。
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