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优化栅的VDMOS器件结构及特性简析

更新时间：2020-05-24 13:34:23 大小：403K 上传用户：六3无线电查看TA发布的资源 标签：VDMOS器件 下载积分：5分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

垂直双扩散MOSFET（VDMOSl由于具有独特的高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度（多子导电器件）、优越的频率特性及低噪声等特点，在功率集成电路及系统中已经得到十分广泛的应用，主要应用于电机调速、逆变器、开关电源、电子开关、高保真音响、汽车电器和电子镇流器等多个领域。作为开关器件的它为电子设备提供所需电源与电机设备驱动。

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优化栅的VDMOS器件结构及特性简析.pdf 403K

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