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基于可变电容反馈技术的宽带VCO设计
资料介绍
该文提出了一种用于展宽 Colpitts压控振荡器（VCO）调谐范围（TＲ）的技术。为了实现宽调谐范围，采用一种可变电容反馈技术，该技术同时可获得优于传统Colpitts VCO 的相位噪声。 且该结构采用动态正向衬底自偏技术，以实现VCO的低功耗及易起振的特性。基于90 nm CMOS工艺，设计了一款VCO， 其相位噪声为-101.9dBC/Hz @1MHz， 调谐范围为28.1%，调谐范围的品质因数可达-192.2 dBC/Hz。 芯片在1V电压供电下，功耗为5.8mW，芯片面积为0.45mm2 。
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