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基于可变电容反馈技术的宽带VCO设计
资料介绍
该文提出了一种用于展宽 Colpitts压控振荡器(VCO)调谐范围(TR)的技术。为了实现宽调谐范围,采用一种可变电容反馈技术,该技术同时可获得优于传统Colpitts VCO 的相位噪声。 且该结构采用动态正向衬底自偏技术,以实现VCO的低功耗及易起振的特性。基于90 nm CMOS工艺,设计了一款VCO, 其相位噪声为-101.9dBC/Hz @1MHz, 调谐范围为28.1%,调谐范围的品质因数可达-192.2 dBC/Hz。 芯片在1V电压供电下,功耗为5.8mW,芯片面积为0.45mm2 。
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| 基于可变电容反馈技术的宽带VCO设计.pdf | 2M |
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