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UPS系统在下一代半导体EUV光刻机中的应用.docx

更新时间：2026-10-07 10:23:02 大小：38K 上传用户：潇潇江南查看TA发布的资源 标签：UPSEUV光刻机半导体制造供电可靠性电能质量 下载积分：2分 评价赚积分 （如何评价?） 打赏 收藏 评论(0) 举报

资料介绍

UPS系统在下一代半导体EUV光刻机中的应用

引言

极紫外（EUV）光刻机是半导体制造最关键的设备，用于7nm及以下工艺节点的芯片制造，对供电可靠性和电能质量的要求在所有工业设备中最高。EUV光刻机UPS的特殊性在于：超高精度供电（EUV光刻机的投影光学系统和掩模台需要纳米级的定位精度，任何供电噪声>0.1mV都可能导致成像精度下降，影响芯片良率）、等离子体电源供电（EUV光源通过激光产生等离子体，需要高功率脉冲电源，脉冲功率可达数十千瓦，UPS需在等离子体放电脉冲期间提供稳定的电压支撑）以及超洁净环境（EUV光刻机在超洁净室（ISO Class 1）中运行，UPS需满足洁净室的严格要求，无尘、无颗粒排放）。本文从EUV光刻机的供电需求出发，系统阐述EUV光刻机UPS的技术要求和解决方案。

EUV光刻机供电需求

投影光学系统

EUV光刻机的投影光学系统（反射镜、掩模台、晶圆台）需要纳米级的定位精度，对供电质量的要求极高。供电电压的噪声和纹波会直接影响驱动系统的定位精度，任何供电噪声>0.1mV都可能导致成像精度下降。投影光学系统UPS需满足以下要求：输出电压纹波<0.05mV，电压稳定度<0.005%，电磁辐射满足EUV光刻机的严格EMC要求，零地电压<0.005V。

EUV光源系统

EUV光源系统通过高功率激光照射锡滴产生等离子体，发射13.5nm的极紫外光。等离子体产生过程需要高功率脉冲电源，脉冲功率可达数十千瓦，脉冲宽度纳秒级，重复频率数万赫兹。EUV光源系统UPS需在等离子体放电脉冲期间提供稳定的电压支撑，电压跌落<0.5%，恢复时间<1μs。

EUV光刻机UPS关键技术

亚微伏级噪声

EUV光刻机UPS需具备亚微伏级噪声输出。通过超低噪声线性稳压（在UPS的输出端配置超低噪声线性稳压器，将输出电压的纹波降低至0.02mV以下，线性稳压器的噪声<0.5μV/√Hz，电源抑制比PSRR>120dB@1kHz）和电磁屏蔽（UPS的机箱采用多层磁屏蔽，屏蔽效能≥120dB，所有进出线缆安装EMI滤波器，所有缝隙使用导电衬垫密封，电磁辐射满足EUV光刻机的严格EMC要求）实现。


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