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车规级功率芯片的雪崩耐受能力与UIS测试技术.docx
资料介绍
车规级功率芯片的雪崩耐受能力与UIS测试技术
引言
雪崩耐受能力是车规级功率芯片的重要可靠性指标，在电机驱动等感性负载应用中，当功率器件关断时，负载电感中的能量会通过器件释放，导致器件进入雪崩模式。2026年，车规级功率芯片的雪崩耐受能力与UIS（非钳位感性开关）测试技术已经发展到了可以在器件设计阶段就优化雪崩耐受能力，并通过UIS测试验证器件的可靠性。本文将从雪崩机理、雪崩耐受能力、UIS测试方法和优化设计四个方面，对车规级功率芯片的雪崩耐受能力与UIS测试技术进行深入的技术解析。
一、雪崩机理
雪崩是功率器件在过压时的一种工作模式。2026年，雪崩机理已经非常清晰。
雪崩击穿当漏源电压超过击穿电压时，PN结中的载流子发生雪崩倍增，产生大量电子-空穴对，电流急剧增加。
雪崩能量雪崩时，器件吸收的能量等于雪崩电压乘以雪崩电流再乘以雪崩时间。器件需要吸收的雪崩能量取决于负载电感中的能量。
二、雪崩耐受能力
2026年，功率芯片的雪崩耐受能力已经非常清晰。
雪崩电流雪崩电流受器件的有源区面积和散热能力限制。有源区面积越大，雪崩电流能力越强。
雪崩能量雪崩能量受器件的热容量和散热能力限制。器件的热容量越大，可以吸收的雪崩能量越多。
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